プラズマエッチング装置：誘導結合プラズマ反応性イオンエッチング（ICP−RIE)装置
フッ素プラズマによるシリコンの微細加工（異方性および等方性）、
酸素プラズマによる有機物の除去等に用います。

　　
　　多目的プラズマエッチング装置
　　　フッ素プラズマの反応性イオンエッチング(RIE)によるSi等の垂直微細加工、　
　　　フッ素プラズマの中性ラジカルによるSi等の等方性エッチング、
　　　O2プラズマによるレジストなどポリマー膜のアッシング、
　　　CF膜のプラズマ堆積（撥水コーティング、離型層コーティング）･･･等

　　
　ICP−DRIE装置（*自作開発装置）
　　レジストマスクでSi基板の深堀加工が可能）
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　　　単結晶シリコン基板の異方性エッチングの例
　　　（深さ5μmの超微細トレンチエッチング）